OFweek電源網(wǎng)：隨著智能手機(jī)的普及，4G網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算等的不斷擴(kuò)大，基站、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)市場也隨之?dāng)U大。在電子產(chǎn)品輕薄短小的需求驅(qū)動下，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率等眾多優(yōu)點(diǎn)，迅速取代線性電源，并普及于各種電子產(chǎn)品領(lǐng)域。有鑒于此，為滿足不斷攀升的市場需求，東芝加大開關(guān)電源研發(fā)力度，并提供滿足不同應(yīng)用的新產(chǎn)品。

經(jīng)過三十多年的發(fā)展，中國的開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)業(yè)已形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈。面對眾多競爭對手，東芝電子（中國）有限公司技術(shù)統(tǒng)括部總監(jiān)多田升先生指出，東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管（HV-MOS）和低壓MOS（LV-MOS）產(chǎn)品線，能滿足從消費(fèi)類電子到工業(yè)相關(guān)設(shè)備的不同需求。

東芝注重開發(fā)AC-DC用HV-MOS和DC-DC用LV-MOS產(chǎn)品。隨著今后功率器件需求的不斷擴(kuò)大，東芝面向通信、數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品也將持續(xù)開發(fā)出來。針對HV-MOS（SuperJunctionMOS）方面，東芝將對DTMOSIV進(jìn)行產(chǎn)品化，并對以更低損耗且高耐壓（900V）為目標(biāo)的HV-DTMOS進(jìn)行開發(fā)。LV-MOS方面，東芝開發(fā)UMOSVIII，不斷充實(shí)產(chǎn)品線，甚至擴(kuò)充到工業(yè)方面對耐壓有需求的250V產(chǎn)品。

事實(shí)上，開關(guān)電源用器件的高效率化，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和節(jié)能。為滿足以上需求，多田升先生透露，東芝將開發(fā)低損耗器件和符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性產(chǎn)品。

為更好地實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化，東芝正在對IPD（IntelligentPowerDevice）的DIP封裝產(chǎn)品化，甚至還在開發(fā)更小型的HSOP。與此同時(shí)，東芝正在著手開發(fā)分立器件的雙面放熱型新型封裝，以實(shí)現(xiàn)小型且高放熱。為實(shí)現(xiàn)低損耗，東芝還開發(fā)出業(yè)界頂級的低導(dǎo)通電阻技術(shù)。

在節(jié)能環(huán)保的發(fā)展趨勢下，可再生能源等新能源領(lǐng)域要求具備高效輸電技術(shù)。面對能源消耗的問題，在功率器件方面，東芝開發(fā)出有助于提升HVDC（高壓直流輸電）技術(shù)及各種電源效率的產(chǎn)品，擁有30V到4500V的豐富產(chǎn)品線。

談到功率器件新工藝新突破時(shí)，多田升先生強(qiáng)調(diào)，相較于其他公司的多外延（MultitypeEpitaxial）構(gòu)造，東芝實(shí)現(xiàn)了采用自行研發(fā)的單外延（SingleEpitaxial）構(gòu)造。通過該技術(shù)，使得半導(dǎo)體器件在高溫工作時(shí)也能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻的降低。除此之外，LV-MOS通過新的溝槽構(gòu)造，能改善低導(dǎo)通電阻以及開關(guān)性能的權(quán)衡，在確保開關(guān)速度的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。最后，多田升先生特別指出，除了積極研發(fā)新工藝之外，在新材料升級方面，東芝已經(jīng)著手進(jìn)行SiC、GaN等新材料器件的開發(fā)。截至目前為止，SiC二極管已經(jīng)上市，GaN的開發(fā)也在不斷進(jìn)行中。