先談談pCBLAYOUT注意點：

大家都了解，EMC對地線走線畢竟有講究，針對pSR的初級地線，可以分為4個地線，如圖中所標示的三角地符號。

這4個地線需采用“一點接地”的布局。

1.C8的地線為電源輸入第。

2.R5的地為功率地。

3.C2的地為小信號地。

4.變壓器pIN3的地為屏蔽地。

這4個地的交接點為C8的負端，即：

輸入電壓經整流橋后過C1到C8地，

R5和變壓器pIN3的地分別采用單獨連線直接引致C8負端相連，連線盡量短；R5地線因考慮到壓降和干擾應盡量寬些.

C5,R10,U1pIN7和pIN8地線匯集致C2負端再連接于C8負端。

若為雙面板，以上4條地線盡量不要采用過孔連接，不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。

以上地線布局恰當，產品的共模干擾會很小。

因pSR線路負載時工作在pFM狀態下的DCM模式，DI/DT的增大和頻率的提升，所以較難處理的是傳導150K~5M差模干擾.

就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進行逐個分析。

1.保險絲

將保險絲換用保險電阻理論上來講對產品效率是有負面影響的，但實際表現并不明顯，所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模干擾，對通過5級能耗并無太大影響，且成本也有所降低。

2.C1,L2,C8

pSR工作在DCM模式，相對而言其輸入峰值電流會大很多，所以輸入濾波很重要。

峰值電流的增大會導致低壓輸入時母線電壓較低，且C8的溫升也會新增；為了提高母線電壓和降低C8的溫升，需提高C1的容量和使用LOWESR的C1和C8。

因為提高C1的容量后，C1和C8的工作電壓會上升，在輸出功率不變的情況下，輸入的峰值電流就會降低。

因L2的用途，實際表現為新增C1的容量比新增C8的容量抑制EMC會更加有效。

一般取C1為6.8uF，C8為4.7uF效果較好，若受空間限制，采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑制效果好。

L2一般從成本考慮采用色環電感，因色環電感的功率有限，電感量太大會嚴重影響效率，一般取330u~2mH,2mH是效率影響開始變得明顯，330u對差模干擾的用途不夠分量，為了使效率影響最低且對差模干擾抑制較佳，建議采用1mH。

因為“一點接地”的布局匯集點在C8的負端，在C8負端輸入電流的方向是經過C1和BD1流回輸入端，根據傳導測試的原理，這樣出現消極影響，所以需在C1與C8的地線上作處理，有空間的可以再中間新增磁珠跳線，空間受限可以采用pCBlayout曲線來實現，雖然效果會弱些，但相比直線連接會改善不少。

3.R6,D2,R2,C4

RCD吸收對EMC的影響大家都應該已經了解，這里重要說下R6與D2對EMC的影響。

R6的加入和D2采用恢復時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負用途，但對傳導有益。

所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。

4.R5

R5既為電流檢測點也是限功率設置點。

所以R5的取值會影響峰值電流也會影響Opp保護點。

建議在Opp滿足的情況下盡量取大些。

一般不低于2R，建議取2.2R。

5.R4,R10,D3,R3,C2

在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。

因IC內部的檢測有采用積分電路，所以當VCC電壓設置過高，就要更長的積分時間，在周期不變的情況下，TON的時間就會新增，輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會新增，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會新增，且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收用途，會使輸出電壓的過沖加劇，同時影響延時檢測的開啟時間。

這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

根據相關經驗，結合變壓器漏感考慮，VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V，所以為使空載時VCC不至于太低導致蕩機，建議VCC電壓設計在15V，變壓器漏感最大不宜超過15%.

6.C5

C5是IC內部延時檢測補償設置端。

C5的取值大了會導致電壓檢測的周期加長，小了會導致電壓檢測的周期變短。

檢測周期的變化會影響電壓的采樣率，也就會影響整個產品各處的電流紋波，對EMC也會造成一定影響，一般選取0.01~0.1uF

7.C3,C7

前面有提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過沖的抑制用途和維持產品的穩定性。

但C3,C7的容量也不是越大越好，他會對EMC起消極用途。

C3,C7容量的加大同樣會導致上面第5點講到的峰值電流加大，所以不能盲目選擇。