石墨烯層包含了面內σ鍵和面外π鍵。σ鍵使石墨烯具有電子傳導性并使石墨烯層之間產生了較弱的相互作用。共價σ鍵形成了六邊形結構和c軸面的剛性主鏈，即π鍵控制著不同的石墨烯層之間的關聯。它展示了一個面上的3個σ鍵／原子以及垂直于σ鍵／原子面的π軌道。

廢話不多說，我們來看看石墨烯這些的物理性質怎么得到的？

接著，我們來深入探討其中的奧妙。

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導電性

石墨烯新穎的電子性質在于它可以維持巨大的電流。石墨烯中的π鍵使石墨烯具有電子傳導性，并使石墨烯層之間產生較弱的相互作用。石墨烯中的載流子可用狄拉克方程而不用薛定諤方程來描述。由于蜂窩晶體中有兩個等價的碳亞晶格，錐狀的價帶和導帶相交于費米能級處布里淵區的K和K0點。這些無質量的狄拉克費米子顯示出許多優越的特性。石墨烯是零帶隙的二維半導體材料，它清晰地顯示出雙極電場效應、準粒子，和較長的平均自由程（微米量級的）。

此外，二維中狄拉克能量色散意味著石墨烯是一種零帶隙的半導體材料，當接近費米能級處時其態密度成線性消失。石墨烯傳導時其電子或空穴濃度高達10E13cm-2。它顯示出杰出的載流子遷移率約為200,000cm2╱V.s。如此高的遷移率是因為完美的石墨烯蜂窩狀晶格使電子能夠十分順利地通過，能夠控制其帶隙。就像半導體一樣，人們可以控制和調節電子運動以產生預期的結果。換言之，除非能夠提供能量來加強電子穿越間隙，即在價帶和導帶之間的間隙，否則石墨烯不可用以傳導。

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導熱性

石墨烯的近室溫導熱系數在（4.84±0.44）×10E3和（5.30±0.48）×10E3W╱m.K之間（Balandinetal.,2008）?；瘜W氣相沉積制備的石墨烯顯示出較低值（≈2500W╱mK）（Caietal.,2010）。

它被認為具有一定的結構類型，即AA或AB型；石墨烯的層數也對其熱導率產生影響。由于石墨烯的高熱導性（由于其強烈的CAC共價鍵和聲子散射，無缺陷的純石墨烯單層在室溫下導熱性可高達5000W╱mK(Ballandinetal.,2008），它被認為是電子設備中重要的組成部分。

在室溫下，單層純石墨烯的熱導率比先前研究的其他碳的同素異形體的熱導率高很多，例如，碳納米管（多壁碳納米管為3000W╱mK(Kimetal.,2001)，單壁碳納米管為3500W╱mK(Popetal.,2005)。導熱率會受一些因素的影響，如缺陷，邊緣散射（Nikaetal.,2009）和同位素摻雜（Jiangetal.,2010）。

一般而言，所有這些因素都會對導電率產生不利影響，這是因為摻雜導致缺陷和聲子模式局部化從而產生了聲子散射。

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比表面積

石墨烯成六角苯環結構，邊長0.142納米，面積為0.052nm2。所以面密度為0.77mg╱m2時，取得比表面積為2630m2╱g。

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彈性模量

依據Voigt石墨本構方程式：

式中，下標1和2為石墨烯面內的兩個主方向，而3為其法向。實驗測量得到值為C11=1060Gpa、C12=36.5Gpa、C44=4Gpa、C12=180Gpa及C13=15Gpa。由此矩陣中還可以看出，由於碳原子之間SP2鍵極強，石墨面內的彈性模量高達1Tpa。

由于高各向異性程度的原因是石墨烯之間的弱相互作用，這通常被認為是范德華力相互作用或π電子間的耦合作用，實驗測出石墨烯層間的剪切模量為4Gpa，剪切強度為0.08Mpa，明顯小于碳原子間的機械性能。

下表是石墨烯的機械特性

石墨烯被氧化后的物理性質有顯著的改變?？梢钥闯鍪紫仁黔h氧基中的C-O-C鍵角發生彎曲，而氧原子向石墨面內方向運動，由此得到氧化石墨烯其楊氏模量為610Gpa，較石墨烯的1060Gpa還低。

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透光性

石墨烯是透明的，單層石墨烯吸收2.3%πα≈2.3%的白光（97.7%透光率），α為精細結構常數，其值約為~1/37。堆疊順序和方向影響著石墨烯的光學特性；因此，雙層石墨烯展現出新穎有趣的光學特性。

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化學穩定性及反應性

石墨烯的化學穩定性高是由于蜂窩網狀結構中強大的面內sp2雜化鍵的存在。石墨烯的化學惰性可應用于防止金屬和金屬合金的氧化。陳等（Chenetal.,2011）用化學氣相沉積技術將石墨烯鍍在銅和銅╱鎳上，首次演示了石墨烯的抗氧化性能。石墨烯具有的化學穩定性和惰性使它有望提高潛在的光電子器件的耐久性（Blakeetal.,2008）。

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阻隔性

石墨烯片具有高度靈活性。它們可以像氣球一樣被拉伸，甚至在幾種大氣的立壓差下也無礙。即使是像氦這樣的小原子也無法滲透它。有些文獻會使用氧化石墨烯來阻隔膜，我現在才發現是因為石墨烯分散性較差而不得不做的取舍，畢竟石墨烯成膜性高，再者，氧化石墨烯是親水性會吸水，而石墨烯為疏水性，阻水性更佳