鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量：7833次 | 2020年03月27日
鋰電池保護(hù)板有哪些常見(jiàn)不良問(wèn)題？
一、無(wú)顯示、輸出電壓低、帶不起負(fù)載：
此類(lèi)不良首先排除電芯不良（電芯本來(lái)無(wú)電壓或電壓低），如果電芯不良則應(yīng)測(cè)試保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。如果電芯電壓正常，則是由于保護(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析步驟如下：
（一）、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假設(shè)電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
1.FUSE兩端電壓有變化：測(cè)試FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)通則是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)通則FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC控制失效）、材質(zhì)有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，繼續(xù)往后分析。
2.R1電阻兩端電壓有變化：測(cè)試R1電阻值，若電阻值異常，則可能是虛焊，電阻本身斷裂。若電阻值無(wú)異常，則可能是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。
符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)
充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
3.IC測(cè)試端電壓有變化：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端異常,則是由于IC虛焊或損壞。
4.若前面電壓都無(wú)變化，測(cè)試B-到P+間的電壓異常，則是由于保護(hù)板正極過(guò)孔不通。
（二）、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有變化,則表示MOS管異常。
2.若MOS管電壓無(wú)變化，P-端電壓異常，則是由于保護(hù)板負(fù)極過(guò)孔不通。
IP67防水，充放電分口 安全可靠
標(biāo)稱(chēng)電壓：28.8V
標(biāo)稱(chēng)容量：34.3Ah
電池尺寸：(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
應(yīng)用領(lǐng)域：勘探測(cè)繪、無(wú)人設(shè)備
二、短路無(wú)保護(hù)：
1.VM端電阻出現(xiàn)問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，確認(rèn)其電阻值大小。看電阻與IC、MOS管腳有無(wú)虛焊。
2.IC、MOS異常：由于過(guò)放保護(hù)與過(guò)流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路異常是由于MOS出現(xiàn)問(wèn)題，則此板應(yīng)無(wú)過(guò)放保護(hù)功能。
3.以上為正常狀況下的不良，也可能出現(xiàn)IC與MOS配置不良引起的短路異常。如前期出現(xiàn)的BK-901，其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作控制之前MOS或其它元器件已被損壞。注：其中確定IC或MOS是否發(fā)生異常最簡(jiǎn)易、直接的方法就是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行更換。
三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù)：
1.設(shè)計(jì)時(shí)所用IC本來(lái)沒(méi)有自恢復(fù)功能,如G2J，G2Z等。
2.儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過(guò)短，或短路測(cè)試時(shí)未將負(fù)載移開(kāi)，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從測(cè)試端移開(kāi)（萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。
3.P+、P-間漏電，如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿.（阻值只有幾K到幾百K）。
4.如果以上都沒(méi)問(wèn)題，可能IC被擊穿，可測(cè)試IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大：
1.由于MOS內(nèi)阻相對(duì)比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首先懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對(duì)比較容易發(fā)生變化的元器件。
2.如果FUSE或PTC阻值正常，則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值，可能過(guò)孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3.如果以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)異常：首先確定焊接有沒(méi)有問(wèn)題；其次看板的厚度（是否容易彎折），因?yàn)閺澱蹠r(shí)可能導(dǎo)致管腳焊接處異常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂；最后用萬(wàn)用表測(cè)試MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
五、ID異常：
1.ID電阻本身由于虛焊、斷裂或因電阻材質(zhì)不過(guò)關(guān)而出現(xiàn)異常：可重新焊接電阻兩端，若重焊后ID正常則是電阻虛焊，若斷裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開(kāi)。
2.ID過(guò)孔不導(dǎo)通：可用萬(wàn)用表測(cè)試過(guò)孔兩端。
3.內(nèi)部線路出現(xiàn)問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開(kāi)、短路現(xiàn)象。
