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單晶硅的制備

鉅大LARGE  |  點擊量:2368次  |  2019年08月19日  

1)區域熔煉法

以高純多晶硅為原料,制成棒狀,并將多晶硅棒垂直固定,在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅,作為單晶生長的的籽晶,其晶相一般為<111>或<100>,然后在真空或惰性氣體下,利用高頻感應線圈加熱多晶棒,使多晶硅棒部分區域形成熔區,并依靠熔區的表面張力保持多晶硅棒的平衡和晶體生長的順利進行。晶體生長首先從多晶硅棒和籽晶的結合處開始,多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的運動,熔區從下端沿著多晶硅棒緩慢向上端移動,使多晶硅逐步轉變為單晶硅。


2)直拉法


直拉單晶硅生產工藝流程圖


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